Обвязка IGBT запирающими диодами.

Преобразовываем одни вольты и амперы в другие вольты и амперы.
Roman
Сообщения: 26
Откуда: Novouralsk

Сообщение Roman » 05 мар 2012, 07:18

Почему бы дополнительно не защитить транзисторы запирающими диодами?
Вложения
Шаблон.PNG
Шаблон.PNG (9.75 КБ) 12398 просмотров

misterio
Сообщения: 1032
Откуда: Россия

Сообщение misterio » 05 мар 2012, 08:03

это которые VD1 VD2?
ну так их ставят только на феты чтоб отключить тормознутый внутренний диод. как я понял.
на IGBT их точно ни кто не ставит, и я опираюсь на опыт авторитетных для меня товарищей.
к тому же у меня стоят антипаралельные диоды (которые к тому же еще и шоттки) плюс супрессоры. это стандартный вариант обвязки IGBTишек.

Roman
Сообщения: 26
Откуда: Novouralsk

Сообщение Roman » 06 мар 2012, 06:40

Все же IGBT сделаны на основе биполярных. А они, как известно, инверсного включения не терпят. Так как нагрузка колебательная, то могут возникнуть "неблагоприятные" моменты.


Тот вариант, который Вы называете стандартный, используется в инверторах, работающих на RL-нагрузку. Там таких моментов нет. Вот я и думаю, поставить дополнительные или нет?

Плюс ко всему они обеспечат переключение VT в нуле тока.

misterio
Сообщения: 1032
Откуда: Россия

Сообщение misterio » 06 мар 2012, 08:35

Все же IGBT сделаны на основе биполярных. А они, как известно, инверсного включения не терпят.

от этого помогут антипаралельные диоды.
смысл в дублировании защиты какой? чтоб больше грелось и места занимало? нет, работать оно конечно будет, только смысла нет.

Плюс ко всему они обеспечат переключение VT в нуле тока.

это вообще не понял.

Roman
Сообщения: 26
Откуда: Novouralsk

Сообщение Roman » 06 мар 2012, 09:12

антипараллельные диоды могут лишь снизить напряжение Э-К до падения напряжения на этих отрытых диодах, которое составляет в лучшем случае 0,3 В. Это уже неблагоприятно.


В нуле будут переключаться, поскольку когда ток нагрузки сменит направление, а транзистор из-за задержки по цепи управления ещё не закрыли, ток не сможет пойти через эмиттер к коллектору из-за этого диода. И когда сигнал задержки наконец прибудет, транзистор закроется при нулевом токе.

Аватара пользователя
BSVi
Адепт
Сообщения: 3576
Откуда: Киев

Сообщение BSVi » 06 мар 2012, 11:42

Roman, покажи хотя бы один даташит, где было бы написано, что 0.3 вольта - плохо. Как раз-таки биполярная технология 0.3 и не чувствует из-за большой ширины запрещенной зоны.

Melted Metal
Сообщения: 39
Откуда: Новосибирск

Сообщение Melted Metal » 06 мар 2012, 18:22

В комповых БП так ставят два диода и кондер, чтобы транзисторы от ШИМа до разделительного трансика быстрее закрывались.

Roman
Сообщения: 26
Откуда: Novouralsk

Сообщение Roman » 07 мар 2012, 11:55

Дах значит надо их юзать или нет? Для чего то ведь их ставят.

Аватара пользователя
BSVi
Адепт
Сообщения: 3576
Откуда: Киев

Сообщение BSVi » 07 мар 2012, 12:15

В случае IGBT - не нужно.

neon
Сообщения: 108
Откуда: Россия, Казань

Сообщение neon » 25 сен 2012, 16:15

да и в цепь эмиттера (истока) ставить дополнительные элементы не самое лучшее решение.

Вернуться в «Силовая электроника»



Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и 2 гостя