Страница 1 из 1

Обвязка IGBT запирающими диодами.

Добавлено: 05 мар 2012, 07:18
Roman
Почему бы дополнительно не защитить транзисторы запирающими диодами?

Re: Начинаю проект DRSSTC

Добавлено: 05 мар 2012, 08:03
misterio
это которые VD1 VD2?
ну так их ставят только на феты чтоб отключить тормознутый внутренний диод. как я понял.
на IGBT их точно ни кто не ставит, и я опираюсь на опыт авторитетных для меня товарищей.
к тому же у меня стоят антипаралельные диоды (которые к тому же еще и шоттки) плюс супрессоры. это стандартный вариант обвязки IGBTишек.

Re: Начинаю проект DRSSTC

Добавлено: 06 мар 2012, 06:40
Roman
Все же IGBT сделаны на основе биполярных. А они, как известно, инверсного включения не терпят. Так как нагрузка колебательная, то могут возникнуть "неблагоприятные" моменты.


Тот вариант, который Вы называете стандартный, используется в инверторах, работающих на RL-нагрузку. Там таких моментов нет. Вот я и думаю, поставить дополнительные или нет?

Плюс ко всему они обеспечат переключение VT в нуле тока.

Re: Начинаю проект DRSSTC

Добавлено: 06 мар 2012, 08:35
misterio
Все же IGBT сделаны на основе биполярных. А они, как известно, инверсного включения не терпят.

от этого помогут антипаралельные диоды.
смысл в дублировании защиты какой? чтоб больше грелось и места занимало? нет, работать оно конечно будет, только смысла нет.

Плюс ко всему они обеспечат переключение VT в нуле тока.

это вообще не понял.

Re: Начинаю проект DRSSTC

Добавлено: 06 мар 2012, 09:12
Roman
антипараллельные диоды могут лишь снизить напряжение Э-К до падения напряжения на этих отрытых диодах, которое составляет в лучшем случае 0,3 В. Это уже неблагоприятно.


В нуле будут переключаться, поскольку когда ток нагрузки сменит направление, а транзистор из-за задержки по цепи управления ещё не закрыли, ток не сможет пойти через эмиттер к коллектору из-за этого диода. И когда сигнал задержки наконец прибудет, транзистор закроется при нулевом токе.

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Добавлено: 06 мар 2012, 11:42
BSVi
Roman, покажи хотя бы один даташит, где было бы написано, что 0.3 вольта - плохо. Как раз-таки биполярная технология 0.3 и не чувствует из-за большой ширины запрещенной зоны.

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Добавлено: 06 мар 2012, 18:22
Melted Metal
В комповых БП так ставят два диода и кондер, чтобы транзисторы от ШИМа до разделительного трансика быстрее закрывались.

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Добавлено: 07 мар 2012, 11:55
Roman
Дах значит надо их юзать или нет? Для чего то ведь их ставят.

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Добавлено: 07 мар 2012, 12:15
BSVi
В случае IGBT - не нужно.

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Добавлено: 25 сен 2012, 16:15
neon
да и в цепь эмиттера (истока) ставить дополнительные элементы не самое лучшее решение.