DRSSTC долгострой от Nikomo
Добавлено: 27 май 2013, 19:00
Итак, намерился и я возвести ДРку, так как не смотря на неудачи с ССкой, моё желание иметь теслу ничуть не преуменьшилось
Ну по частям:
1.Управляющая.
Её схему я позимствую у BSVi.
Для удобства описания загружу схему сюда:
Ну, по управляющей вроде всё ясно, но некотороые вопросы всё же возникли:
Правильно ли я понял как работает OCD: R13 настраиваеться попрог срабатывания компаратора LM311, так как эталонное напряжение, подаваеме на его прямой вход, зависит от значения этого резистора. Соответственно когда напряжение с трансформатора тока на инверсном входе компаратора достигает значения напряжения прямого входа(ток в вторичке вырос до установленной граници), комаратор изменяет своё логическое значение, что вызывает изменение сосотояния тригера 555-ой микросхемы,изменение состояния которого в конце-концов вызывает загорание светодида НL2 и открывание транзистора VТ1... (тут я должен извиниться за возможный написанный бред, я только с этим всем разбираюсь )
Заглядывая вперёд - фазокорректор будет такой.
Ещё нюансик - будет ли работать это всё дело от 12В вместо 15В ?
2.Интераптер собираюсь делать такой.
Тут два вопроса - что такое burst mode?И на что, кроме степени нагрева транзисторов, влияет расстояние между двумя запускающими импульсами?Каково минимальное расстояние между ними можно считать нормальным?
3.Cиловая такая же как и у BSVi, только я не гонюсь за длинной стримера и меня больше интересует стабильность схемы.Поэтому первый вопрос относительно силовой - как выбрать максимальный ток, который будет протекать в силовой, на что надо опираться, на транзисторы?В даташте на IRG4PC50UD сказано, что в пульсе они выдержывают 220А.И, хотя я понимаю, что этот мой вопрос основан на моём нубизме, всё же что значит "в пульсе", какое время транзистор выдержит 220А(1мкс,10мкС, 100мкС)?
Я думаю не разгонять ток выше 200А(хотя это сугубо приблизительно и я ещё сильно сомниваюсь), дабы с запасом не выходить за пределы даташита и срок службы транзисторов был как можно дольше.Второе - насколько сильно будет увеличиваться вероятность смерти силовой от выбросов при переносе таковой на тестолит, вместо навеса, т.е как лучше делать, или это пофиг?
Ну и последнее - тор можно смело цеплять, он ведь не будет греться в случае ДРки?
Ну по частям:
1.Управляющая.
Её схему я позимствую у BSVi.
Для удобства описания загружу схему сюда:
Ну, по управляющей вроде всё ясно, но некотороые вопросы всё же возникли:
Правильно ли я понял как работает OCD: R13 настраиваеться попрог срабатывания компаратора LM311, так как эталонное напряжение, подаваеме на его прямой вход, зависит от значения этого резистора. Соответственно когда напряжение с трансформатора тока на инверсном входе компаратора достигает значения напряжения прямого входа(ток в вторичке вырос до установленной граници), комаратор изменяет своё логическое значение, что вызывает изменение сосотояния тригера 555-ой микросхемы,изменение состояния которого в конце-концов вызывает загорание светодида НL2 и открывание транзистора VТ1... (тут я должен извиниться за возможный написанный бред, я только с этим всем разбираюсь )
Заглядывая вперёд - фазокорректор будет такой.
Ещё нюансик - будет ли работать это всё дело от 12В вместо 15В ?
2.Интераптер собираюсь делать такой.
Тут два вопроса - что такое burst mode?И на что, кроме степени нагрева транзисторов, влияет расстояние между двумя запускающими импульсами?Каково минимальное расстояние между ними можно считать нормальным?
3.Cиловая такая же как и у BSVi, только я не гонюсь за длинной стримера и меня больше интересует стабильность схемы.Поэтому первый вопрос относительно силовой - как выбрать максимальный ток, который будет протекать в силовой, на что надо опираться, на транзисторы?В даташте на IRG4PC50UD сказано, что в пульсе они выдержывают 220А.И, хотя я понимаю, что этот мой вопрос основан на моём нубизме, всё же что значит "в пульсе", какое время транзистор выдержит 220А(1мкс,10мкС, 100мкС)?
Я думаю не разгонять ток выше 200А(хотя это сугубо приблизительно и я ещё сильно сомниваюсь), дабы с запасом не выходить за пределы даташита и срок службы транзисторов был как можно дольше.Второе - насколько сильно будет увеличиваться вероятность смерти силовой от выбросов при переносе таковой на тестолит, вместо навеса, т.е как лучше делать, или это пофиг?
Ну и последнее - тор можно смело цеплять, он ведь не будет греться в случае ДРки?