Обвязка IGBT запирающими диодами.

Преобразовываем одни вольты и амперы в другие вольты и амперы.
Post Reply
Roman
Posts: 26
Joined: 21 Feb 2012, 07:10
Location: Novouralsk

Обвязка IGBT запирающими диодами.

Post by Roman »

Почему бы дополнительно не защитить транзисторы запирающими диодами?
Attachments
Шаблон.PNG
Шаблон.PNG (9.75 KiB) Viewed 18130 times
misterio
Posts: 1032
Joined: 16 Jan 2012, 20:43
Location: Россия

Re: Начинаю проект DRSSTC

Post by misterio »

это которые VD1 VD2?
ну так их ставят только на феты чтоб отключить тормознутый внутренний диод. как я понял.
на IGBT их точно ни кто не ставит, и я опираюсь на опыт авторитетных для меня товарищей.
к тому же у меня стоят антипаралельные диоды (которые к тому же еще и шоттки) плюс супрессоры. это стандартный вариант обвязки IGBTишек.
Roman
Posts: 26
Joined: 21 Feb 2012, 07:10
Location: Novouralsk

Re: Начинаю проект DRSSTC

Post by Roman »

Все же IGBT сделаны на основе биполярных. А они, как известно, инверсного включения не терпят. Так как нагрузка колебательная, то могут возникнуть "неблагоприятные" моменты.


Тот вариант, который Вы называете стандартный, используется в инверторах, работающих на RL-нагрузку. Там таких моментов нет. Вот я и думаю, поставить дополнительные или нет?

Плюс ко всему они обеспечат переключение VT в нуле тока.
misterio
Posts: 1032
Joined: 16 Jan 2012, 20:43
Location: Россия

Re: Начинаю проект DRSSTC

Post by misterio »

Все же IGBT сделаны на основе биполярных. А они, как известно, инверсного включения не терпят.
от этого помогут антипаралельные диоды.
смысл в дублировании защиты какой? чтоб больше грелось и места занимало? нет, работать оно конечно будет, только смысла нет.
Плюс ко всему они обеспечат переключение VT в нуле тока.
это вообще не понял.
Roman
Posts: 26
Joined: 21 Feb 2012, 07:10
Location: Novouralsk

Re: Начинаю проект DRSSTC

Post by Roman »

антипараллельные диоды могут лишь снизить напряжение Э-К до падения напряжения на этих отрытых диодах, которое составляет в лучшем случае 0,3 В. Это уже неблагоприятно.


В нуле будут переключаться, поскольку когда ток нагрузки сменит направление, а транзистор из-за задержки по цепи управления ещё не закрыли, ток не сможет пойти через эмиттер к коллектору из-за этого диода. И когда сигнал задержки наконец прибудет, транзистор закроется при нулевом токе.
User avatar
BSVi
Адепт
Posts: 3576
Joined: 15 Mar 2011, 12:32
Location: Киев

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Post by BSVi »

Roman, покажи хотя бы один даташит, где было бы написано, что 0.3 вольта - плохо. Как раз-таки биполярная технология 0.3 и не чувствует из-за большой ширины запрещенной зоны.
Melted Metal
Posts: 39
Joined: 21 Aug 2011, 15:01
Location: Новосибирск

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Post by Melted Metal »

В комповых БП так ставят два диода и кондер, чтобы транзисторы от ШИМа до разделительного трансика быстрее закрывались.
Roman
Posts: 26
Joined: 21 Feb 2012, 07:10
Location: Novouralsk

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Post by Roman »

Дах значит надо их юзать или нет? Для чего то ведь их ставят.
User avatar
BSVi
Адепт
Posts: 3576
Joined: 15 Mar 2011, 12:32
Location: Киев

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Post by BSVi »

В случае IGBT - не нужно.
neon
Posts: 108
Joined: 20 Sep 2012, 20:15
Location: Россия, Казань

Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.

Post by neon »

да и в цепь эмиттера (истока) ставить дополнительные элементы не самое лучшее решение.
Post Reply