Обвязка IGBT запирающими диодами.
Обвязка IGBT запирающими диодами.
Почему бы дополнительно не защитить транзисторы запирающими диодами?
- Attachments
-
- Шаблон.PNG (9.75 KiB) Viewed 18130 times
Re: Начинаю проект DRSSTC
это которые VD1 VD2?
ну так их ставят только на феты чтоб отключить тормознутый внутренний диод. как я понял.
на IGBT их точно ни кто не ставит, и я опираюсь на опыт авторитетных для меня товарищей.
к тому же у меня стоят антипаралельные диоды (которые к тому же еще и шоттки) плюс супрессоры. это стандартный вариант обвязки IGBTишек.
ну так их ставят только на феты чтоб отключить тормознутый внутренний диод. как я понял.
на IGBT их точно ни кто не ставит, и я опираюсь на опыт авторитетных для меня товарищей.
к тому же у меня стоят антипаралельные диоды (которые к тому же еще и шоттки) плюс супрессоры. это стандартный вариант обвязки IGBTишек.
Re: Начинаю проект DRSSTC
Все же IGBT сделаны на основе биполярных. А они, как известно, инверсного включения не терпят. Так как нагрузка колебательная, то могут возникнуть "неблагоприятные" моменты.
Тот вариант, который Вы называете стандартный, используется в инверторах, работающих на RL-нагрузку. Там таких моментов нет. Вот я и думаю, поставить дополнительные или нет?
Плюс ко всему они обеспечат переключение VT в нуле тока.
Тот вариант, который Вы называете стандартный, используется в инверторах, работающих на RL-нагрузку. Там таких моментов нет. Вот я и думаю, поставить дополнительные или нет?
Плюс ко всему они обеспечат переключение VT в нуле тока.
Re: Начинаю проект DRSSTC
от этого помогут антипаралельные диоды.Все же IGBT сделаны на основе биполярных. А они, как известно, инверсного включения не терпят.
смысл в дублировании защиты какой? чтоб больше грелось и места занимало? нет, работать оно конечно будет, только смысла нет.
это вообще не понял.Плюс ко всему они обеспечат переключение VT в нуле тока.
Re: Начинаю проект DRSSTC
антипараллельные диоды могут лишь снизить напряжение Э-К до падения напряжения на этих отрытых диодах, которое составляет в лучшем случае 0,3 В. Это уже неблагоприятно.
В нуле будут переключаться, поскольку когда ток нагрузки сменит направление, а транзистор из-за задержки по цепи управления ещё не закрыли, ток не сможет пойти через эмиттер к коллектору из-за этого диода. И когда сигнал задержки наконец прибудет, транзистор закроется при нулевом токе.
В нуле будут переключаться, поскольку когда ток нагрузки сменит направление, а транзистор из-за задержки по цепи управления ещё не закрыли, ток не сможет пойти через эмиттер к коллектору из-за этого диода. И когда сигнал задержки наконец прибудет, транзистор закроется при нулевом токе.
Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.
Roman, покажи хотя бы один даташит, где было бы написано, что 0.3 вольта - плохо. Как раз-таки биполярная технология 0.3 и не чувствует из-за большой ширины запрещенной зоны.
-
Melted Metal
- Posts: 39
- Joined: 21 Aug 2011, 15:01
- Location: Новосибирск
Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.
В комповых БП так ставят два диода и кондер, чтобы транзисторы от ШИМа до разделительного трансика быстрее закрывались.
Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.
Дах значит надо их юзать или нет? Для чего то ведь их ставят.
Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.
В случае IGBT - не нужно.
Re: Обвязка IGBT запирающими диодами.
да и в цепь эмиттера (истока) ставить дополнительные элементы не самое лучшее решение.