Страничка эмбеддера, Форум

Приветствую уважаемые форумчане! Хотелось бы, чтобы вы помгли разобраться с импульсным током полевых транзисторов. А именно интересует зависимость его от температуры кристала, чем он огнаничен и че это ваабще такое. График из даташитов (maximum effective transient termal impedanse...) для меня малоинформативен, на англиском практически не читаю.

Вот немного чтива для загруза... http://www.kit-e.ru/articles/elcomp/2002_01_46.php

Спасибо почитал

Hmaker wrote: А именно интересует зависимость его от температуры кристала, чем он огнаничен и че это ваабще такое.

1. Импульсный ток, это ток, который может пропустить через себя транзистор без разрушения кристалла траанзистора. Допустимый импульсный ток во многом зависит от продолжительности импульса, когда транзистор открыт и времени , так сказать, отдаха транзистора (когда закрыт) до следующего импульса.

2. Допустимый ток зависит от температуры корпуса транзистора, так как имеется зависимость рассеиваемой мощности транзистора от тока стока: Как видно, чем выше темепература корпуса Tc, тем ниже должен быть Iв (ток стока).

Картинка: Все эти и другие сведения можно подчерпнуть из документа: http://www.microsemi.com/en/sites/defau ... PT0403.pdf

Ok, более менее начинает проясняться, спасибо!