Вебинар посвященный вопросам применения SiC MOSFET 650В
14 апреля пройдет вебинар, посвященный вопросам применения SiC MOSFET 650В в источниках питания. Может быть полезно для расширения кругозора по современной элементной базе. Материалы на английском языке, но если нужно — вопросы на русском можно задавать сюда
Форма регистрации здесь
Пример DC/DC выше демонстрирует как можно использовать улучшенные параметры SiC транзисторов нового поколения для повышения КПД и снижения массово-габаритных показателей преобразователей. Примечательно что предыдущий вариант также сделан на SiC и сам по себе существенно меньше альтернативного решения на обычных кремниевых MOSFET.
В случае интереса к теме, по мотивам вебинара можно сделать развернутую публикацию с ответами на часто задаваемые вопросы по теме SiC технологии.
А пока в качестве еще одного вброса викторина:
на изображении ниже показаны три трехфазных инвертора, спроектированных в начале 1990, в 2016 и 2019г.
Все они примерно одинаковой мощности, первый на IGBT, два последних сделаны на SiC. Пишите в комментариях предполоагаемую мощность:)
Форма регистрации здесь
Пример DC/DC выше демонстрирует как можно использовать улучшенные параметры SiC транзисторов нового поколения для повышения КПД и снижения массово-габаритных показателей преобразователей. Примечательно что предыдущий вариант также сделан на SiC и сам по себе существенно меньше альтернативного решения на обычных кремниевых MOSFET.
В случае интереса к теме, по мотивам вебинара можно сделать развернутую публикацию с ответами на часто задаваемые вопросы по теме SiC технологии.
А пока в качестве еще одного вброса викторина:
на изображении ниже показаны три трехфазных инвертора, спроектированных в начале 1990, в 2016 и 2019г.
Все они примерно одинаковой мощности, первый на IGBT, два последних сделаны на SiC. Пишите в комментариях предполоагаемую мощность:)